3月30日，精密测量院“王天眷讲坛”第四十四讲在波谱楼举行。北京计算科学研究中心教授魏苏淮作为主讲嘉宾，应邀为广大师生作题为“Band Structure Engineering and Defect Control of Semiconductors for Energy Applications”的学术报告。精密测量院首席科学家詹明生研究员主持了此次讲座，并向魏苏淮颁发了“王天眷讲坛讲席教授”的聘书和铭牌。 

　　魏苏淮现任北京计算科学研究中心讲座教授、材料与能源研究部主任、国家特聘专家、国家重点专项首席科学家、国家基金委重大项目负责人、美国物理学会会士（APS Fellow）、美国材料学会会士（MRS Fellow）。1981年本科毕业于复旦大学，1985年在美国威廉玛丽学院取得理学博士学位，1985-2015年间在美国可再生能源国家实验室（NREL）历任博士后、科学家、资深科学家、首席科学家、理论研究室主任、实验室Fellow；在半导体能带理论、缺陷与合金物理、能源与光电材料设计和计算方法等方面取得了系统的原创性成果；已发表SCI论文520余篇，包括72篇PRL。论文被引用59000多次，H因子120。 

　　报告会上，魏苏淮从密度泛函理论的基础讲起，结合自己的研究工作深入浅出地介绍了这一材料科学中的重要计算方法及其在电子器件、发光材料和能源材料等方面的应用。密度泛函理论是从微观第一性原理出发分析材料物理及化学性质的计算方法，在物理、化学、生物等各个学科领域以及工业、产业界都有广泛的应用，是不可或缺的理论工具。报告中，他系统介绍了与合作者对密度泛函方法的发展，特别是SQS（special quasirandom structures）方法。此方法在计算合金物性上表现优异，是目前行业计算的标准方法，在能源材料的计算与设计方面具有重要意义。与会师生认真聆听了魏苏淮的精彩报告，深感受益匪浅。报告会后魏苏淮对大家的踊跃提问进行了详细的解答，并与现场师生展开热烈的讨论。